日経エレクトロニクス 1998/09/21号

新製品ニュース 集積回路
 256MビットのフラッシュEEPROM, 消去ブロック・サイズは2Kバイト

 日立製作所は,256MビットのフラッシュEEPROM「HN29W25611」を発売した。語構成は32M語×8ビット。メモリ・セル・アレイはAND型である。 一つのメモリ・セルに2ビット(4値)の情報を格納することで,チップ面積の低減を図った。読み出し,消去/書き込みの単位はいずれも2Kバイトである。64Mビットの同社従来品は512バイトだった。(69ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:759文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
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日立製作所
update:19/09/26