日経エレクトロニクス 1998/09/21号

新製品ニュース 集積回路
パワーMOS FETを内蔵する負電圧出力型 レギュレータIC,1Wの出力が可能

 イタリアとフランスの合弁会社ST─Microelectronics N.V.は,パワーMOS FETを内蔵した負電圧出力型レギュレータIC「ST755」を発売した。1Wの出力能力がある。負電圧の供給を必要とするハード・ディスク装置などに向ける。 基準電圧は標準+1.25V。入力電圧範囲は+2.7V〜+11Vである。出力電圧は標準で−5V。(70ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:587文字

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update:19/09/26