日経エレクトロニクス 1998/10/19号

技術速報
富士通,SiC基板を使ったGaN系青紫色半導体レーザの 室温連続発振に成功,寿命は1分

 富士通は,SiC基板を使うGaN系青紫色半導体レーザの室温連続発振に成功した。発振波長は408nm,寿命は約1分。SiC基板を使った青紫色レーザの室温連続発振は米Cree Research,Inc.に続き2社目。ただしCree社はしきい値電圧が25Vと高かった。富士通は10.5Vに抑えた。しきい値電流密度は7.6kA/cm2,最高動作温度は40℃。SiC基板を使うメリットは,コスト低減の可能性があること。(21ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:639文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > 光デバイス製品・技術 > レーザー関連技術
【記事に登場する企業】
米クリー社
富士通
update:19/09/26