日経エレクトロニクス 1999/02/22号

特集 メモリLSI 第4部<ネットワーク家電を創る−半導体会
高速SRAM 微細化で進む高速化,ソフト・エラー対策にも注目

 SRAM関連では,クロック周波数やアクセス時間を指標として,高速化をねらった発表が中心だった(表4—2)。設計ルールも0.2nm程度まで進んだ。昨年は主に0.25nmだった。 また,ソフト・エラーの対策技術で発表があったことも今回の特徴だ。微細化によって,いままでのパッケージからのα線対策だけでなく宇宙線や中性子の影響を無視できなくなってきた。(131〜132ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1476文字

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米インテル社
update:19/09/26