日経エレクトロニクス 1999/02/22号

新製品ニュース
 1.8V駆動時のオン抵抗が最大16mΩと低い pチャネル型パワーMOS FET

 米Siliconix Inc.はゲート−ソース間の電圧が−1.8Vでオン抵抗が最大16mΩと低いpチャネル型パワーMOS FET「Si4465DY」を発売した。低電圧で低オン抵抗を実現するために,ゲート酸化膜の薄膜化とともに膜厚の均一度を高めた。オン抵抗の標準値は12mΩ。いずれもドレイン電流10Aでの値。(65ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:604文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米シリコニクス社
update:18/08/07