日経エレクトロニクス 2001/01/01号

技術速報
高誘電率ゲート絶縁膜の評価発表が相次いだ2000 IEDM 米IBM社がAl2O3を使ったゲート長0.08nmのトランジスタを試作

 2000年12月10日〜13日に米国San Franciscoで開かれた半導体製造技術の国際学会「2000 International Electron Devices Meeting(IEDM)」では,2005年にも先行メーカによる量産が始まる0.07nmルールの設計に向けた高誘電率のゲート絶縁膜材料(いわゆるhigh−k材料)の発表に沸いた。これまで30年間以上にわたってゲート絶縁膜として使われてきたSiO2を,より比誘電率が高いhigh…(25ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1436文字

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米IBM社
update:18/08/02