日経エレクトロニクス 2001/01/01号

ニュース・ダイジェスト
IBM社,2001年に0.13nmでSOI採用LSI量産

 米IBM社は2001年の早い時期に,0.13nmの設計ルールでLSIの量産を始める。プロセス技術にSOI技術,Cu配線技術,低誘電率絶縁膜技術を採用する。製造するLSIは次世代サーバや通信機器に搭載する予定。量産は,同社Burlington工場で行なうという。現在,同社の半導体研究開発センタでこれらのプロセス技術を使ったLSIを試験的に製造している。(39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:256文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米IBM社
update:18/08/02