日経エレクトロニクス 2001/02/12号

技術速報
米Ball Semiconductor社,直径1mmの球面半導体を使った  3次元傾斜計を試作,2001年末から量産

 米Ball Semiconductor Inc.は,直径1mmのSi球面半導体を使った3次元傾斜計の試作に成功した。携帯端末などへの適用を目指す。同社が試作に成功した球面半導体としては,すでに実用化を始めた球状の太陽電池に続く2品種目となる。 まずSi球の表面に多結晶Siを積層し,次に電極部とシェル(表面層)を形成する。この電極部は3対の電極(3次元に対応)と1枚の共通電極から成る。(26ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:667文字

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米ボール・セミコンダクター社
update:18/08/02