日経エレクトロニクス 2001/02/12号

特集 そして、すべてのメモリは不揮発になる。 FeRAM
セル面積の縮小が急務 まずはDRAMの2〜3倍へ

 強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAMを置き換え得るか。この命題をめぐって,半導体メーカの見解が割れている。 「できる」と踏む半導体メーカは,先端の微細加工技術を導入し,大容量,低コストのFeRAMを製品化する計画を打ち出す(図1,表1)。一方で,「それはほぼ無理」と考える半導体メーカもある。(172〜177ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6375文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる385円
買い物カゴに入れる(読者特価)193円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください
この雑誌を購入する
お得な定期購読 (手続き画面へ移動します)

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
update:19/09/26