日経エレクトロニクス 2001/04/09号

技術速報
無制限の書き換えが可能なFeRAMを米Ramtron社が開発 強誘電体材料,電極,成膜プロセスなどを改善

 米Ramtron International Corp.は,書き換え可能回数がSRAMやDRAMに匹敵する強誘電体メモリ(FeRAM)を初めて開発した。1016回以上の書き換え可能回数を保証する。従来のFeRAMの書き換え回数は1010〜1012回が上限だった。今回開発したFeRAMの容量は256Kビットである。電源電圧は+3V単一。アクセス時間は70ns,サイクル時間は130nsと,携帯電話用SRAMとほぼ同等。(25ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:669文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる108円
買い物カゴに入れる(読者特価)54円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください
この雑誌を購入する
お得な定期購読 (手続き画面へ移動します)

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > 素材(半導体関連)
ビズボードスペシャル > 素材 > 素材(半導体関連)
【記事に登場する企業】
米ラムトロン・インターナショナル社
update:18/08/02