日経エレクトロニクス 2001/04/09号

技術速報
オランダPhilips社,Q値が21のRF向けバイポーラCMOS技術を実用化 キャパシタに新材料を適用し,チップ面積を従来比で約30%削減

 オランダRoyal Philips Electronics社の半導体部門であるPhilips Semiconductors社は,Q値が21と高いインダクタを集積可能なRF(無線)回路向けSiバイポーラCMOS技術「QUBiC4」を開発した。この技術を使ったLSIの生産を2001年第3四半期までに始める。設計ルールは0.25nm。現在実用化されているバイポーラCMOS技術のQ値は10〜12が一般的。(26ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:706文字

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【記事に登場する企業】
蘭ロイヤルフィリップス社
update:18/08/02