日経エレクトロニクス 2001/04/23号

ニュース・レポート
FeRAMの書き換え回数がついにDRAMと同等に
米Ramtronと富士通研が相次ぎ成果

強誘電体メモリの普及を妨げていた大きな問題が解決する。従来は1010〜1012回が上限だった書き換え可能な回数を,SRAMやDRAMと同程度の1015〜1016回までに高める技術が確立してきたからだ。 「強誘電体メモリ(FeRAM)の書き換え回数の上限は1012回です。でも不揮発というすごいメリットがあります」。(39〜40ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3639文字

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update:18/08/02