日経エレクトロニクス 2001/06/18号

技術速報
米IBM社,LSIの動作速度が35%向上するプロセス技術を開発  2003年までに製品へ適用

 米IBM Corp.は,LSIの動作速度を35%引き上げる可能性があるプロセス技術を開発した。2003年までに実用化を目指す。2001年6月12日〜14日に京都で開催されたLSIの国際学会「2001 Symposium on VLSI Technology」で発表した(Rim,K.ほか,講演番号5B—4)。 開発した技術は,MOSトランジスタのチャネル領域を構成するSi膜の結晶格子をひずませることで,高速化を実現する。(25ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:660文字

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【記事に登場する企業】
米IBM社
update:19/09/26