日経エレクトロニクス 2001/06/18号

開発ストーリ メモリ 高速メモリ「Rambus仕様DRAM」の
採用してはいけない技術
高速メモリ「Rambus仕様DRAM」の開発 (第4回)

 「これがテスト・チップの検証結果です。1端子当たり500Mビット/秒でデータ転送が可能であることがわかります。われわれの技術に間違いはありませんでした。実現可能なのです」 米Rambus Inc.のマーケティング担当であるDave Mooring氏は,自信をにじませながら機器メーカに採用を呼びかけていた(図1)。 「おおっ」 技術者から声が上がる。どうだ,すごいだろ。(129〜133ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6015文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米ラムバス社
update:18/08/02