日経エレクトロニクス 2001/07/02号

ニュース・レポート
Samsung社,FeRAMの セル面積をDRAM並みに
NECは高速の不揮発SRAMを提案

強誘電体メモリ(FeRAM)のセル面積をDRAM並みに縮小する技術開発を半導体メーカが加速させている。2001年6月に開催された半導体技術の国際会議「VLSIシンポジウム」では,そうした発表が注目を集めた。 「FeRAMによるDRAM置き換えの可能性をここまで徹底追求した発表はこれまで見たことがない」(国内メモリ・メーカの技術者)。(41〜42ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3394文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
NEC
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
update:18/08/02