日経エレクトロニクス 2001/07/02号

技術速報
東芝,ひずみSiとSOIを組み合わせるプロセス技術を改良 SiGe下地膜のGe濃度を57%に高め,キャリアの移動度を上げる

 東芝は,Si膜の結晶格子にひずみを加えることでキャリアの移動度を高める「ひずみSi」技術について,ひずみSi膜の下地となるSiGe膜を成膜するプロセス技術を開発した。ひずみSiが実用化される世代にはSOI基板が主流になるとみて,SOI基板上にSiGe膜を作る場合を想定している。ひずみSiは,米IBM Corp.が2003年の実用化を表明したことをキッカケに注目を集めている。(27ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:668文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米IBM社
東芝
update:19/09/26