日経エレクトロニクス 2001/10/22号

New Products
多値技術を導入し256Mビットを実現 同期型のバースト読み出し時間は13ns
NOR型フラッシュEEPROM

 米Intel Corp.は,2ビット/セルの多値技術を用いた256MビットのNOR型フラッシュEEPROM「28F256シリーズ」のサンプル出荷を2002年第2四半期に始める。プログラムとデータを同時に格納したい携帯電話機やPDAなどの携帯機器に向ける。0.18nmプロセスを採用した。(49ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:853文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米インテル社
update:18/08/02