日経エレクトロニクス 2001/10/22号

New Products
 0.175nm技術を使い64Mビットを実現
疑似SRAM

東芝は,モバイル機器などに向けた64Mビットの疑似SRAM「TC51W6416XBシリーズ」を発売した。0.175nmのCMOS技術で製造する。待機時電流値は100nA。データを保持しないパワー・ダウン・モード時の電流値は5nA。アクセス時間は80nsまたは85ns。1回のアクセスで4ワード連続して読み出せる。(52ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:346文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
東芝
update:18/08/02