日経エレクトロニクス 2001/11/05号

Guest Paper
不揮発性メモリ「NROM」 MONOS構造と多値化で 製造コストを半減

「次世代不揮発性メモリの最有力候補は何か」。複数の有識者が登壇し,激論が交わされた2001年8月の不揮発性メモリ国際会議「NVSMW」のパネル・セッションで,その座を勝ち取ったのはMRAMでも相変化メモリでもなかった。イスラエルSaifun Semiconductors Ltd.が開発した「NROM」と呼ばれる新型フラッシュEEPROMだ。(119〜128ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:14143文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
イスラエル・サイフン・セミコンダクターズ社
update:18/08/02