日経エレクトロニクス 2001/12/17号

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中村裁判中間報告

 米University of California Santa Barbara校(UCSB)教授の中村修二氏が日亜化学工業を訴えた裁判の第2回口頭弁論が,東京地方裁判所で2001年12月4日に開かれた。中村氏が日亜化学在籍中に取得したGaN系発光素子の特許(特許番号第2628404号,以下404特許)の所有権をめぐる訴訟である。(43ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1012文字

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【記事に登場する企業】
米カリフォルニア大学
日亜化学工業
update:19/09/26