日経エレクトロニクス 2006/06/05号

New Products パワー半導体モジュール
IGBTと逆導通用ダイオードを集積

 三菱電機は,従来は別チップだったIGBTと逆導通用ダイオードを1チップに集積したパワー半導体「RC−IGBT(reverse conducting insulated gate bipolar transistor)」を制御ICと一緒に搭載したパワー半導体モジュール「PS21961」を発売する。従来より部品点数が減り,インバータ全体ではコストが下がるという。パッケージの放熱抵抗は同社従来品の約半分。(45ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:390文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
三菱電機
update:19/09/26