日経エレクトロニクス 2006/07/17号

Leading Trends
LSIのバラつきを制する 混載SRAMで提案続々
Symposium on VLSI Technology/Circuits報告

 半導体製造/設計技術関連の国際会議「2006 Symposium on VLSI Technology/Circuits」が2006年6月13〜17日に米国ホノルルで開催された。話題の中心は,LSIの特性バラつき問題に向けた製造/設計技術だった(図1)。(55〜62ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:10906文字

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update:18/07/30