日経エレクトロニクス 2006/10/09号

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NORフラッシュの代替狙い SamsungがPRAM開発
 512Mビットで2008年初頭に実用化 いよいよ離陸

 記憶素子に相変化膜を用いた不揮発性メモリであるPRAM(phase−change random access memory)が離陸する。メモリ世界最大手の韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.が512Mビット品を開発,2008年初頭にも実用化する方針を明らかにした(図1)。現在,携帯電話機やデジタル民生機器などのプログラム格納用として広く使われているNORフラッシュ・メモリの代替を目指す。(42〜43ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3031文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
update:19/09/26