日経エレクトロニクス 2007/06/04号

特報 深層
IBMの新半導体プロセス,配線間を真空で絶縁
電気信号を35%高速に伝送

 Cu配線,SOI(silicon on insulator),ひずみSi…。半導体プロセス技術の分野でこれまで数々の革新技術を実用化してきた米IBM Corp.が,またしても大仕事をやってのけた。論理LSI内部の配線間を,現在の低誘電率(low-k)層間絶縁膜の代わりに「真空」で絶縁するプロセス技術の実用化にメドを付けた(図1)。(12〜13ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2767文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米IBM社
update:19/09/26