論文
２Ｍビットのスピン注入方式不揮発性ＲＡＭを試作
河原　尊之，高橋　宏昌，松岡　秀行日立製作所池田　正二，大野　英男東北大学

DRAM並みの高速性を備え，書き換え回数が事実上無制限，しかも電源を切っても情報が消えない─。機器設計者の常識を塗り替える「不揮発性の主記憶」に道を開く技術を日立製作所と東北大学が共同で開発した。磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリMRAMに，スピン注入磁化反転と呼ぶ新たな動作原理を持ち込んだ。(97〜110ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：18859文字

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