日経エレクトロニクス 2009/11/02号

論文
GaN系パワー素子を開発,電気特性を高めコストを低減
吉川 俊英富士通研究所 基盤技術研究所 主管研究員金村 雅仁,多木 俊裕,今田 忠紘富士通研究所 先端デバイス研究部 研究員今西 健治富士通研究所 先端デバイス研究部 主任研究員原 直紀富士通研究所 先端デバイス研究部 部長

 インバータやコンバータ,スイッチング電源といった電力変換器に向けたパワー半導体素子(以下,パワー素子)として利用できるGaN系HEMT (high electron mobility transistor)を開発した。GaN系HEMTはこれまでWiMAXや携帯電話といった無線通信の基地局向け増幅器として利用されてきた。(105〜113ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9759文字

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富士通研究所
update:19/09/26