日経エレクトロニクス 2009/11/02号

NEレポート
シリアル伝送と専用線の追加で,SDメモリーカードを300Mバイト/秒に
携帯電話機の内部バス用途も狙う

 2010年春を目標に策定中の,SDメモリーカードの次世代仕様「SD Specification Version 4.00」(仮称)において,高速伝送用の専用端子を追加する案が浮上している(表1)。LVDSによる差動伝送を導入し,データの読み出し/書き込み用バス(以下,SDバス)の最大データ伝送速度を,現行の最大104Mバイト/秒から300Mバイト/秒まで引き上げるためだ注1)。(14ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1268文字

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update:19/09/26