日経エレクトロニクス 2010/09/06号

インタビュー エルピーダメモリ 取締役 執行役員 CT
機器の将来担うTSVを 我々が立ち上げる
安達 隆郎氏

 DRAM大手のエルピーダメモリが,半導体チップ同士を3次元接続するTSV(Si貫通電極)で攻勢に出ている。2010年6月に台湾United Microelectronics Corp.(UMC)および台湾Powertech Technology Inc.(PTI)とTSVに関して提携し,同年7月には,将来的にTSVで接続することを想定するフラッシュ・メモリの事業に参入した。エルピーダメモリがTSVに注力する狙いはどこにあるのか。(107〜109ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3707文字

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マイクロンメモリジャパン
update:18/07/26