日経エレクトロニクス 2011/02/07号

特集 半導体ストレージ 迫る主役交代
半導体ストレージ迫る主役交代

フラッシュ・メモリ 危うし,ついに「王座陥落」の時p.38 第1部:全体動向2020年に情報量35Zバイト,無尽蔵の需要に新技術で挑むp.40 第2部:技術動向先行する3次元NANDをReRAMなど新メモリが追うp.48(木村 雅秀,大下 淳一,大石 基之)(写真:Getty Images,写真コラージュ:山井 淳一)…(37ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:231文字

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この特集全体
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(37ページ掲載)
半導体ストレージ迫る主役交代
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(38〜39ページ掲載)
フラッシュ・メモリ 危うし ついに「王座陥落」の時
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(40〜47ページ掲載)
第1部<全体動向> 2020年に情報量35Zバイト
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(48〜59ページ掲載)
第2部<技術動向> 先行する3次元NANDを
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エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > その他(CPU・LSI製品・技術)
update:19/09/26