特集　半導体ストレージ　迫る主役交代
第２部＜技術動向＞　先行する３次元ＮＡＮＤを
ＲｅＲＡＭなど新メモリが追う

　次世代の半導体ストレージに向けた，新しい不揮発性メモリの開発が加速している。メモリ・セルを3次元化する3次元NANDフラッシュ・メモリのほか，動作原理を刷新して性能を高めたストレージ・クラス・メモリとして，抵抗変化型メモリ（ReRAM）や相変化メモリ（PRAM），磁気メモリ（MRAM）などがある（表1）。(48〜59ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：13356文字

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