日経エレクトロニクス 2011/02/07号

特集 半導体ストレージ 迫る主役交代
第2部<技術動向> 先行する3次元NANDを
ReRAMなど新メモリが追う

 次世代の半導体ストレージに向けた,新しい不揮発性メモリの開発が加速している。メモリ・セルを3次元化する3次元NANDフラッシュ・メモリのほか,動作原理を刷新して性能を高めたストレージ・クラス・メモリとして,抵抗変化型メモリ(ReRAM)や相変化メモリ(PRAM),磁気メモリ(MRAM)などがある(表1)。(48〜59ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:13356文字

この記事をオンラインで読む
買い物カゴに入れる440円
買い物カゴに入れる(読者特価)220円
 特価が表示されない場合は下の (※)をご覧ください
この雑誌を購入する
お得な定期購読 (手続き画面へ移動します)

(※) 「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。

この特集全体
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(37ページ掲載)
半導体ストレージ迫る主役交代
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(38〜39ページ掲載)
フラッシュ・メモリ 危うし ついに「王座陥落」の時
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(40〜47ページ掲載)
第1部<全体動向> 2020年に情報量35Zバイト
特集 半導体ストレージ 迫る主役交代(48〜59ページ掲載)
第2部<技術動向> 先行する3次元NANDを
関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
update:19/09/26