次世代の半導体ストレージに向けた,新しい不揮発性メモリの開発が加速している。メモリ・セルを3次元化する3次元NANDフラッシュ・メモリのほか,動作原理を刷新して性能を高めたストレージ・クラス・メモリとして,抵抗変化型メモリ(ReRAM)や相変化メモリ(PRAM),磁気メモリ(MRAM)などがある(表1)。(48〜59ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:13356文字
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