日経エレクトロニクス 2011/05/16号

NEレポート
SiCに迫るGaNパワー素子 トランジスタで耐圧1kV超
国内ベンチャーが試作に成功

 現行のSiに続く、パワー半導体素子(以下、パワー素子)の次世代材料として注目を集めるSiCとGaN。いずれも製品化が始まっており、耐圧600V以上はSiC、600V以下はGaNとされている。だが、この“常識”が覆される可能性が高まった。国内のベンチャー企業であるパウデックが、耐圧1.1kVで、かつ低コストで製造できるというGaN系パワー・トランジスタの試作に成功したからである(図1)。(14〜15ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2053文字

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【記事に登場する企業】
パウデック
update:19/09/26