日経エレクトロニクス 2011/07/11号

クローズアップ 半導体
実用化始まったTSVによる3次元化技術
パッケージ・ロードマップも刷新へ

 TSV(Si貫通ビア)を利用して3次元積層した半導体の実用化が始まった。エルピーダメモリはTSVによって4個のDRAMチップと1個のインタフェース・チップを積層した8GビットDDR3 SDRAMを、2011年6月にサンプル出荷した。タブレット端末などで求められる低消費電力かつ小型のDRAMを実現している。(120ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:972文字

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マイクロンメモリジャパン
update:19/09/26