日経エレクトロニクス 2011/11/28号

NEレポート
異なる結晶構造を採用し SiC MOSFETを安く高性能に
HOYAが開発、チャネル移動度は最大370cm2/Vsと高い

 パワー半導体材料として、Siよりも特性が優れるSiC。ダイオードが徐々に利用され始め、2010年にはMOSFETが製品化された。だが、SiC製MOSFETはSi製IGBTよりも電力損失が小さい、高速なスイッチングが可能、耐熱性が高いなどの特徴を備えるものの、二つの課題がある。 一つはSiC基板が高価であること、もう一つはチャネル移動度が低いことである。(17ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1231文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
HOYA
update:19/09/26