日経エレクトロニクス 2011/12/12号

特集 半導体×磁気
半導体×磁気
機器が変わる。日本が変わる。

日本に新たなノーベル賞候補p.30 第1部:インパクト主記憶と論理LSIを不揮発に、パラダイム・シフトを起こせるかp.32 第2部:実現技術垂直MTJでDRAM代替へ、ロジックは回路技術で補うp.40 インタビュー:東北大学 教授 大野英男氏世界の設計者が集う拠点を日本につくりたいp.50番外編<磁気技術で勝つ>p.54三菱電機 / 旭化成エレクト…(29ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:293文字

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この特集全体
特集 半導体×磁気(29ページ掲載)
半導体×磁気
特集 半導体×磁気(30〜31ページ掲載)
日本に新たなノーベル賞候補
特集 半導体×磁気(32〜39ページ掲載)
第1部<インパクト> 主記憶と論理LSIを不揮発に
特集 半導体×磁気(40〜49ページ掲載)
第2部<実現技術> 垂直MTJでDRAM代替へ
特集 半導体×磁気(50〜53ページ掲載)
世界の設計者が集う 拠点を日本につくりたい
特集 半導体×磁気(54〜58ページ掲載)
番外編 磁気技術で勝つ
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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > その他(CPU・LSI製品・技術)
update:19/09/26