日経エレクトロニクス 2011/12/12号

特集 半導体×磁気
第1部<インパクト> 主記憶と論理LSIを不揮発に
パラダイム・シフトを起こせるか

 「半導体スピントロニクスで新しいパラダイム・シフトを起こす」(東北大学 教授の大野英男氏)─。 電子機器の主記憶や論理LSIを不揮発にするための技術開発が、急速に進展し始めた。半導体技術と磁気技術をLSI上で融合する試みが進んでいる。(32〜39ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9810文字

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この特集全体
特集 半導体×磁気(29ページ掲載)
半導体×磁気
特集 半導体×磁気(30〜31ページ掲載)
日本に新たなノーベル賞候補
特集 半導体×磁気(32〜39ページ掲載)
第1部<インパクト> 主記憶と論理LSIを不揮発に
特集 半導体×磁気(40〜49ページ掲載)
第2部<実現技術> 垂直MTJでDRAM代替へ
特集 半導体×磁気(50〜53ページ掲載)
世界の設計者が集う 拠点を日本につくりたい
特集 半導体×磁気(54〜58ページ掲載)
番外編 磁気技術で勝つ
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エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
update:19/09/26