特集　半導体×磁気
第２部＜実現技術＞　垂直ＭＴＪでＤＲＡＭ代替へ
ロジックは回路技術で補う

　メモリでは、これまで小容量にとどまっていたMRAMの大容量化が今後急ピッチで進む方向である。例えば、スピン注入磁化反転（spin　transfer　torque：STT）と呼ばれる新たな動作方式を導入したMRAM（STT-MRAM）の開発が佳境を迎えている。この新方式と並行して、現行品の動作方式を踏襲しつつ改良を加えることで、微細化に対応しやすくする技術開発も活発である。(40〜49ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数：9729文字

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