日経エレクトロニクス 2011/12/12号

特集 半導体×磁気
第2部<実現技術> 垂直MTJでDRAM代替へ
ロジックは回路技術で補う

 メモリでは、これまで小容量にとどまっていたMRAMの大容量化が今後急ピッチで進む方向である。例えば、スピン注入磁化反転(spin transfer torque:STT)と呼ばれる新たな動作方式を導入したMRAM(STT-MRAM)の開発が佳境を迎えている。この新方式と並行して、現行品の動作方式を踏襲しつつ改良を加えることで、微細化に対応しやすくする技術開発も活発である。(40〜49ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9729文字

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この特集全体
特集 半導体×磁気(29ページ掲載)
半導体×磁気
特集 半導体×磁気(30〜31ページ掲載)
日本に新たなノーベル賞候補
特集 半導体×磁気(32〜39ページ掲載)
第1部<インパクト> 主記憶と論理LSIを不揮発に
特集 半導体×磁気(40〜49ページ掲載)
第2部<実現技術> 垂直MTJでDRAM代替へ
特集 半導体×磁気(50〜53ページ掲載)
世界の設計者が集う 拠点を日本につくりたい
特集 半導体×磁気(54〜58ページ掲載)
番外編 磁気技術で勝つ
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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
update:19/09/26