日経エレクトロニクス 2012/01/09号

NEレポート
SiCの低コスト化に道 SBDはSiの2倍未満が現実的に
MOSFETのオン抵抗はSiの1/20以下に

 Si製パワー半導体素子(以下、パワー素子)と比較して電力損失が小さい、高速なスイッチングが可能、耐熱性が高いなど、特性面で優れるSiC製パワー素子。ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)は2001年、MOSFETは2010年に製品化され、このうちSBDはエアコンや鉄道車両向けのインバータに搭載されるなど、徐々にその採用が広がっている。(14〜15ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2246文字

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update:19/09/26