日経エレクトロニクス 2012/04/16号

特集 すべての機器にTSV
第2部<実現技術> コスト、放熱、テスト
TSVの3大課題を解決へ

 「とにかくコスト。それから放熱とテストだ」─。TSV(through silicon via)を用いた3次元/2.5次元LSIの開発に携わる技術者の多くは、TSV技術の普及に向けた課題をこのように指摘している(図1)。 TSVの導入によって新たに発生する製造コストを可能限りゼロに近づけることは最も大きな課題だ。(42〜49ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:8819文字

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この特集全体
特集 すべての機器にTSV(31ページ掲載)
すべての機器にTSV
特集 すべての機器にTSV(32〜33ページ掲載)
動くQualcomm社
特集 すべての機器にTSV(34〜41ページ掲載)
第1部<パラダイム・シフト> 微細化に代わる新たな進化軸
特集 すべての機器にTSV(42〜49ページ掲載)
第2部<実現技術> コスト、放熱、テスト
特集 すべての機器にTSV(50〜55ページ掲載)
第3部<主役うかがう> ファウンドリーの次はOSAT
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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
update:18/07/30