日経エレクトロニクス 2012/05/28号

NEレポート
Si半導体に集積可能な発光素子 東京都市大学が開発
室温動作でSiフォトニクスの課題に光明

 東京都市大学(旧・武蔵工業大学) 総合研究所は、室温(300K)かつ電流注入において発光するSi系半導体素子を開発した。発光時のQ値は1560と高い。「室温下のSi系半導体では世界最高値で、LEDとしてなら十分利用可能」(同大学)という。 光伝送をSi系半導体で実現する「Siフォトニクス」技術においては、受光素子や導光路を含むほとんどの要素技術で技術革新が進んだ。(14〜15ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2123文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > 光デバイス製品・技術 > その他(光デバイス製品・技術)
【記事に登場する企業】
東京都市大学
update:19/09/26