日経エレクトロニクス 2012/06/25号

NEレポート
不揮発性プロセサをIGZOで実現 SELが消費電力1/100を実証
“不揮発性DRAM”セルで待機時電力をゼロに

 LSIの電源は基本的にオフ状態で、入力があったときにだけ電源をオンにして処理を実行し、すぐにオフ状態に戻る─。こうしたノーマリー・オフ型の機器につながる技術に、新たな候補が登場した。 LSI内部のレジスタを酸化物半導体In-Ga-Zn-O(IGZO)を使って不揮発化し、待機時電力をゼロにするというものだ。2012年6月に半導体エネルギー研究所(SEL)が開発した注1)。(14〜15ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2490文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
半導体エネルギー研究所
update:19/09/26