日経エレクトロニクス 2012/06/25号

NEレポート
耐圧20kV超のSiC製ダイオード 京都大学が試作
変電所の電力変換器を高効率かつ小型に

 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 教授の木本恒暢氏らの研究グループは、耐圧が21.7kVと高いSiC製PINダイオードを試作し、パワー半導体素子の国際学会「ISPSD 2012」で発表した。20kVを超える半導体素子を試作したのは今回が初めて。「世界最高の値」(木本氏)とする。 主な用途としては、変電所での電力変換器を想定している。(16ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1215文字

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京都大学
update:18/07/30