日経エレクトロニクス 2012/08/20号

NEレポート
SiCとグラフェンでトランジスタ 将来的にはSiの置き換え狙う
半導体技術で単層と2層グラフェンの作り分けを可能に

 ドイツの大学Friedrich-Alexander Universit?t Erlangen-N?rnberg(FAU)とスウェーデンの研究機関ACREO ABは、炭素材料のグラフェンを電極に用いたSiCトランジスタを共同で試作し、室温でのオン/オフ比104、動作周波数1MHz以上(チャネル長約6μmの場合)を得たと発表した。ノーマリー・オン、ノーマリー・オフのいずれでも動作する。(13ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1349文字

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update:19/09/26