日経エレクトロニクス 2012/12/24号

NEレポート
酸化物半導体でp型FET ルネサスがCMOS化に道
オン/オフ比を102から105に改善

 高精細ディスプレイの駆動用トランジスタを中心に実用化が進む酸化物半導体。低温で形成でき、高性能かつ透明という特徴を備えることから、幅広い応用が期待されている。ただし、酸化物半導体には、p型トランジスタを形成しにくいという課題がある。実際、酸化物半導体の代表格として実用化されているIn-Ga-Zn-Oトランジスタは、すべてn型だ。(12〜13ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2105文字

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ルネサスエレクトロニクス
update:18/07/30