日経エレクトロニクス 2013/03/04号

NEセレクション パワー半導体 第1回
Siを超えるSiCとGaNの性能、なぜパワー素子に向いているのか

省エネの切り札としてパワー半導体に注目が集まっており、研究開発が活発になっている。本連載では、パワー半導体素子の研究開発動向をはじめ、同素子に欠かせない材料や応用技術などについて紹介していく。連載1回目の今回は、現行のSiに続く次世代のパワー半導体材料として研究開発が進むSiCとGaNについて、両材料に詳しい研究者に解説してもらう。(90〜95ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:7830文字

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update:19/09/26