日経エレクトロニクス 2013/03/04号

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EUV
半導体の微細化継続へ、開発待ったなし

 EUVとは、波長13.5nmの極端紫外線(extreme ultraviolet)のこと。軟X線とも呼ばれる。この光を利用したEUV露光技術は、半導体のさらなる微細化を可能にする次世代露光技術として期待されている。 これまで半導体の露光技術は、使用する光の波長を短くすることで露光時の解像力を高め、微細化に対応してきた。ただし、ここ10年ほどは光の波長が193nmから変わっていない。(114ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:858文字

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update:19/09/26