日経エレクトロニクス 2013/05/27号

NEセレクション パワー半導体
第3回 GaNパワー素子の開発が活発に ノーマリー・オフ動作にも道筋

 GaNパワー素子の詳しい話の前に、GaNに関する研究の歴史を簡単に振り返りたい。半導体材料としてのGaNの発展を阻む壁は、SiCと同じく結晶成長だった。研究初期の技術では、GaNのバルク結晶の合成が非常に難しかった。(96〜100ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:8615文字

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update:18/07/24