日経エレクトロニクス 2014/01/06号

NEセレクション パワー半導体
最終回 RAF法をガス結晶成長法で高速化 低価格なSiCウエハーの実現へ

 次に、結晶成長の一例を示す。前ページの図3は、結晶内の温度勾配と成長結晶近傍でのガス分圧と結晶性の関係を示したものである。SiC合成は発熱反応であるため、成長を維持するためには成長した結晶を通して種結晶側に熱輸送し、冷却する必要がある。(82〜86ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:5686文字

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update:19/09/26