日経エレクトロニクス 2015/05号

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3次元NANDが出荷ラッシュ 東芝、IntelらがSamsungを追う
競争軸は微細化技術から多層化へ

Web版http://nkbp.jp/NE1505016 2015年3月、NANDフラッシュメモリーに大きな転機がやってきた。3次元NANDフラッシュメモリー(3次元NAND)製品において、三つどもえの競争が始まったのである。3次元NANDは、1枚のSiチップ内にメモリーセルを積層したメモリーである。(16〜17ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2781文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米インテル社
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
東芝
米マイクロン・テクノロジー社
update:19/09/26