日経エレクトロニクス 2017/08号

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96層の3D NANDを18年量産 東芝・WDがQLCの64層版も
Samsungから「世界初」を奪還

 東芝メモリと米Western Digital(WD)社は2017年6月末、3次元(3D)NANDフラッシュメモリーにおいて96層版と4ビット/セルの多値化技術「QLC(Quatro-Level Cell)」の64層版を開発したと相次いで発表した。 これまで3D NANDフラッシュメモリーの製品化では韓国Samsung Electro…(11ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1276文字

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update:19/09/26