日経エレクトロニクス 2017/08号

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ソニーが100G級の新メモリー NANDとDRAMの間を埋める
書き込み時間は100ns、書き換え可能回数は1000万回

 ソニーセミコンダクタソリューションズは、100Gビット級の集積化が可能とするクロスポイント構造の抵抗変化型メモリー(ReRAM)技術を開発した。2017年6月に京都で開催された、半導体(VLSI)関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」(VLSIシンポジウム)で…(18ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1233文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
ソニー
update:18/08/06